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RM2N650LD
規(guī)格信息:

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)650 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250μA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds190 pF @ 50 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)23W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageTO-252-2

Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

介紹圖RM2N650LD
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
RM2N650LDN-Channel Super Junction Power MOSFET RECTRON[Rectron Semiconductor]RECTRON[Rectron Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)677.82 Kbytes共9頁RM2N650LD的PDF文件地址 RM2N650LD的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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