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RM25C512C-LSNI-T
規(guī)格信息：

存儲(chǔ)器類型：非易失

存儲(chǔ)器格式：CBRAM?

技術(shù)：CBRAM

存儲(chǔ)容量：512kb（128B 頁(yè)大?。?/p>

時(shí)鐘頻率：20MHz

寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：100μs，5ms

存儲(chǔ)器接口：SPI

電壓 - 電源：1.65 V ~ 3.6 V

工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

介紹圖RM25C512C-LSNI-T
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
RM25C512C-LSNI-T電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 512K 1.65V 電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器Adesto TechnologiesAdesto Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)2.29 Mbytes共32頁(yè)RM25C512C-LSNI-T的PDF文件地址 RM25C512C-LSNI-T的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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