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P1010AT
規(guī)格信息：

商品類型MOS(場效應(yīng)管)

漏源電壓（Vdss）100V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）69A

柵源極閾值電壓4.5V @ 250uA

漏源導(dǎo)通電阻10.5mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）115W

類型N溝道

介紹圖P1010AT
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
P1010ATN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor NIKOSEM[NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.]NIKOSEM[NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.]的LOGO-天天IC網(wǎng)196.55 Kbytes共4頁P1010AT的PDF文件地址 P1010AT的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
P1010ATFN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor NIKOSEM[NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.]NIKOSEM[NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.]的LOGO-天天IC網(wǎng)204.19 Kbytes共4頁P1010ATF的PDF文件地址 P1010ATF的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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