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KMB3D0P30SA-RTK/P
規(guī)格信息：

商品類型MOS(場效應(yīng)管)

漏源電壓（Vdss）30V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）3A

柵源極閾值電壓3V @ 250uA

漏源導通電阻80mΩ @ 3A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）1.25W

類型P溝道

介紹圖KMB3D0P30SA-RTK/P
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
KMB3D0P30SA-RTK/P連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：3A 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：3V @ 250uA 漏源導通電阻：80mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 類型：P溝道KECKEC的LOGO-天天IC網(wǎng)372.39 Kbytes共4頁KMB3D0P30SA-RTK/P的PDF文件地址 KMB3D0P30SA-RTK/P的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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