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IS43DR86400C-3DBL
規(guī)格信息：

制造商:ISSI

產(chǎn)品種類:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

RoHS:是

類型:SDRAM - DDR2

數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit

組織:64 M x 8

封裝 / 箱體:BGA-60

存儲(chǔ)容量:512 Mbit

最大時(shí)鐘頻率:333 MHz

訪問(wèn)時(shí)間:3 ns

電源電壓-最大:1.9 V

電源電壓-最小:1.7 V

電源電流—最大值:120 mA

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 85 C

系列:IS43DR86400C

封裝:Tray

商標(biāo):ISSI

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

濕度敏感性:Yes

工作電源電壓:1.8 V

產(chǎn)品類型:DRAM

工廠包裝數(shù)量:242

子類別:Memory & Data Storage

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買
IS43DR86400C-3DBL	動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 S動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器	ISSI	1.11 Mbytes	共48頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IS43DR86400C-3DBL	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	1.41 Mbytes	共48頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
IS43DR86400C-3DBLI	動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 S動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器	ISSI	1.11 Mbytes	共48頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
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IS43DR86400C-3DBLI-TR	動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2	ISSI	1.11 Mbytes	共48頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買
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