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制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

商標:

Id-連續(xù)漏極電流:100 A

Vds-漏源極擊穿電壓:85 V

Rds On-漏源導通電阻:5.1 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

封裝:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:21 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:42 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

典型關(guān)閉延遲時間:64 ns

典型接通延遲時間:28 ns

零件號別名:IPB051NE8NGXT