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CS2N60A4H
規(guī)格信息：

商品類型MOS(場效應(yīng)管)

漏源電壓（Vdss）600V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）2A(Tc)

柵源極閾值電壓4V @ 250uA

漏源導通電阻4Ω @ 1A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）35W(Tc)

類型N溝道

介紹圖CS2N60A4H
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CS2N60A4H連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：2A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導通電阻：4Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W(Tc) 類型：N溝道華潤華晶華潤華晶的LOGO-天天IC網(wǎng)239.71 Kbytes共10頁CS2N60A4H的PDF文件地址 CS2N60A4H的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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