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BLA1011-200
規(guī)格信息：

制造商:NXP

產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管

RoHS:是

商標(biāo):NXP Semiconductors

Vds-漏源極擊穿電壓:75 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:60 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :+/- 22 V

增益:13 dB

輸出功率:200 W

最大工作溫度:+ 150 C

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-538A

封裝:Reel

最小工作溫度:- 65 C

工作頻率:1.03 GHz to 1.09 GHz

Pd-功率耗散:700 W

工廠包裝數(shù)量:20

類型:RF Power MOSFET

Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V

零件號(hào)別名:BLA1011-200,112

BLA1011-200

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購買
BLA1011-200	Avionics LDMOS transistor	PHILIPS[NXP Semiconductors]	74.91 Kbytes	共13頁	BLF4G10LS-120,MAPR-000912-500S00,MAPR-001011-850S00,MAPRST0912-50,TMF8901F,BLC6G10-160,BLC6G20-75,BLC6G22-100,BLF4G20LS-110B,BLF6G20-45	產(chǎn)品購買
BLA1011-200	RF Manual 16th edition	NXP[NXP Semiconductors]	9375.07 Kbytes	共130頁		產(chǎn)品購買
BLA1011-200,112	RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A	Ampleon USA Inc.	1.13 Mbytes	共14頁		產(chǎn)品購買
BLA1011-200.112	200 W LDMOS avionics power transistor for transmitter applications at frequencies from 1030 MHz to 1090 MHz.	PHILIPS[NXP Semiconductors]	83.66 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購買
BLA1011-200R	Avionics LDMOS transistors	NXP[NXP Semiconductors]	127.87 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購買
BLA1011-200R	RF Manual 16th edition	NXP[NXP Semiconductors]	9375.07 Kbytes	共130頁		產(chǎn)品購買
BLA1011-200R,112	RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A	Ampleon USA Inc.	1.6 Mbytes	共13頁		產(chǎn)品購買