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2N7002ET
規(guī)格信息：

通道類型N

最大連續(xù)漏極電流260 mA

最大漏源電壓60 V

最大漏源電阻值2.5 0hms

最大柵閾值電壓2.5V

最大柵源電壓-20 V、+20 V

封裝類型SOT-23

安裝類型表面貼裝

引腳數目3

晶體管配置單

通道模式增強

類別小信號

最大功率耗散300 mW

最低工作溫度-55 °C

最高工作溫度+150 °C

每片芯片元件數目1

長度2.9mm

高度0.94mm

寬度1.3mm

晶體管材料Si

典型柵極電荷@Vgs0.81 nC @ 5 V

典型輸入電容值@Vds26.7 pF@ 25 V

典型關斷延遲時間4.8 ns

典型接通延遲時間1.7 ns

尺寸2.9 x 1.3 x 0.94mm

無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs

介紹圖2N7002ET
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2N7002ET1GSmall Signal MOSFET 60 V, 310 mA, Single, N−Channel, SOT−23 ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網104.79 Kbytes共5頁2N7002ET1G的PDF文件地址 2N7002ET1G的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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